나노에서 마이크로 영역의 화학 결합 상태에 대한 높은 처리량 분석을 제공하는 반구형 분석기가 있는 고사양 Auger 전자 분광기이며 크고 안정적인 전류를 전달할 수 있기 때문에 EPMA에도 사용되는 전계 방출 전자총입니다. 고정밀 eucentric 시편 스테이지를 통해 이전에는 불가능했던 절연체 분석을 수행할 수 있습니다. 이것은 플로팅 타입 이온 건과 결합하여 금속 및 절연 재료와 같은 모든 시편을 처리하여 구성 정보 및 화학 정보를 얻을 수 있는 다용성을 제공합니다.
특징
고감도·고해상도 분석기
가변 에너지 분해능을 가진 분석기를 사용하면 고감도 모드에서 고속 매핑뿐만 아니라 고해상도 모드에서 화학 결합 상태 분석을 수행할 수 있습니다.
쇼트키 전계 방출 전자총
최대 3nA의 대전류로 인한 고처리량 화학 결합 상태 분석은 물론 200nm 공간 분해능으로 이미지 관찰을 모두 달성한 전자총입니다. 이것은 JEOL이 SEM 및 EMPA에 사용되는 쇼트키 전계 방출 전자총과 함께 수년에 걸쳐 개발한 전자 광학 기술을 통합함으로써 가능합니다.
유심 표본 단계
다중 광학 시스템이 있는 분석 장치의 필수 요소인 유심성 스테이지를 채택하여 고도로 정확한 높이 중심 재현성을 제공합니다. 최대 90°까지 기울기를 자유롭게 선택할 수 있어 절연체 분석이 어렵습니다.
내구성
장수명 설계 개념을 바탕으로 이온건 필라멘트 및 전자건 방사체 교체와 관련된 운영 비용을 절감했습니다.
소프트웨어
복잡한 화학 결합 상태 분석은 물론 분석가를 힘들게 하는 중첩된 Auger 피크의 분리는 파형 분리 기능을 사용하여 클릭 한 번으로 수행할 수 있습니다.
Map Restructuring 소프트웨어는 측정 후 P/B 재설정 및 통합 중 시간 경과에 따른 변화 추적과 같은 광범위한 분석을 가능하게 합니다.
제품 사양
| 전자 조명 시스템 | |
|---|---|
| SEI 해상도 | 3nm(25kV, 10pA에서) |
| Auger 분석을 위한 프로브 직경 | 8nm(25kV, 1nA에서) |
| 전자총 | 쇼트키 전계 방출 총 |
| 가속 전압 | 0.5 ~ 30kV |
| 프로브 전류 | 10-11 2×10까지-7A |
| 확대 | x 25 ~ 500,000 |
| 오거 분석 시스템 | |
| 분석기 | 정전기 반구형 분석기(HSA) |
| 에너지 분해능(ΔE/E) | 0.05 %까지 0.6 |
| 감도 | 840,000cps/7ch 이상
(10kV 10nA Cu-LMN, 0.6% 분해능, 60틸트에서) |
| 탐지 시스템 | 다중 채널 감지 |
| 이온 총 | |
| 이온 에너지 | 0.01~4keV |
| 이온 전류(흡수 전류) | 2eV에서 3,000A 이상, 0.03eV에서 10A 이상 |
| 중화 기능 | 내장 |
| 표본 단계 | |
| 표본 이동 | X: ±10mm, Y: ±10mm, Z: ±6mm,
T(기울기): 0 ~ 90, R(회전): 360(무한) |
| 표본 크기 | 직경 20mm(두께 5mm) |
| UHV 대피 시스템 | |
| 시편 챔버의 극한 압력 | 5 × 10-8Pa 이하 |
| 베이킹 아웃 | 내장 히터, 자동 베이킹 아웃 |
| 소프트웨어 | |
| 데이터 수집 | 스펙트럼,
깊이 프로필, 라인 프로필, 오거 이미지, SEI(XNUMX차 전자 이미지) 광역 이미지 분석(옵션), 일정 분석(선택 사항) |
| 데이터 처리 | 정성분석,
정량분석, 분화, 스무딩, 이미지 처리, 텍스트 입력, 피크 디컨볼루션 소프트웨어(옵션) |
사양은 예고없이 변경 될 수 있습니다.
확장성
다음 부착물을 수용할 수 있는 추가 포트가 제공되어 다양한 분석을 지원합니다.
표본 주차 장치
시편 냉각 및 파쇄 장치
후방 산란 전자 검출기
에너지 분산형 X선 분광기(EDS)
전자 후방 산란 회절 장치(EBSD)
이송용기
