나노에서 마이크로 영역의 화학 결합 상태에 대한 높은 처리량 분석을 제공하는 반구형 분석기가 있는 고사양 Auger 전자 분광기이며 크고 안정적인 전류를 전달할 수 있기 때문에 EPMA에도 사용되는 전계 방출 전자총입니다. 고정밀 eucentric 시편 스테이지를 통해 이전에는 불가능했던 절연체 분석을 수행할 수 있습니다. 이것은 플로팅 타입 이온 건과 결합하여 금속 및 절연 재료와 같은 모든 시편을 처리하여 구성 정보 및 화학 정보를 얻을 수 있는 다용성을 제공합니다.
기능
스펙트럼 이미징
각 픽셀에는 스펙트럼이 포함되어 있습니다
추출된 원소 분포
스펙트럼 이미지 데이터 큐브에서
새롭게 개발된 스펙트럼 이미징 방법을 사용하면 이미지의 각 픽셀에 대한 전자 스펙트럼을 캡처할 수 있습니다. 이미지에서 선택한 영역의 스펙트럼과 원소 분포는 EDS 매핑과 같이 데이터를 수집한 후에 추출할 수 있습니다. 스펙트럼 이미징 방법은 광범위한 에너지 범위에서 데이터를 수집하여 원소가 누락되는 것을 방지하는데, 이는 매핑할 원소를 미리 지정해야 하는 기존 오거 매핑과는 전혀 다릅니다. 측정 에너지 범위와 에너지 분해능은 일반적인 광범위 스펙트럼 수집과 마찬가지로 선택할 수 있습니다. 스펙트럼 이미징은 원소 분석뿐만 아니라 반사 전자 에너지 손실 분광법(REELS) 분석에도 적용할 수 있습니다.
표준 스펙트럼 데이터베이스 및 피크 디컨볼루션 소프트웨어
순수 Sn, SnO 및 SnO2의 표준 스펙트럼
솔더 표면의 화학적 상태 분해 깊이 프로파일
500개 재료에 대한 140개 이상의 스펙트럼을 포함하는 표준 스펙트럼 데이터베이스가 제공됩니다. 당사의 피크 디컨볼루션 소프트웨어는 겹친 오거 피크를 쉽게 분리하고, 한 번의 클릭으로 복잡한 화학 상태 분석도 가능하게 합니다.
기술 사양
| 전자 조명 시스템 | |
|---|---|
| SEI 해상도 | 3nm(25kV, 10pA에서) |
| Auger 분석을 위한 프로브 직경 | 8nm(25kV, 1nA에서) |
| 전자총 | 쇼트키 전계 방출 총 |
| 가속 전압 | 0.5 ~ 30kV |
| 프로브 전류 | 10-11 2×10까지-7A |
| 확대 | x 25 ~ 500,000 |
| 오거 분석 시스템 | |
| 분석기 | 정전기 반구형 분석기(HSA) |
| 에너지 분해능(ΔE/E) | 0.05 %까지 0.6 |
| 감도 | 840,000cps/7ch 이상
(10kV 10nA Cu-LMN, 0.6% 분해능, 60틸트에서) |
사양은 예고없이 변경 될 수 있습니다.
확장성
다음 부착물을 수용할 수 있는 추가 포트가 제공되어 다양한 분석을 지원합니다.
다음 첨부 파일을 수용할 수 있는 추가 포트가 제공되어 다양한 분석을 지원합니다.
표본 주차 장치
시편 냉각 및 파쇄 장치
후방 산란 전자 검출기
에너지 분산형 X선 분광기(EDS)
이송용기
카탈로그 다운로드
어플리케이션
반도체 장치
반도체 소자의 단면에 대한 실리콘의 원소 분포 및 화학 상태 매핑,
스펙트럼 이미징을 통해 획득됨.
SEM-EDS 및 EPMA와 같은 X선 방출 분광법과 비교했을 때 AES 분석의 공간 분해능은 매우 높습니다. AES 분석은 고배율 시야에서 원소 분석에 적용할 수 있습니다. 샘플의 화학적 상태에 따른 오제 피크 모양의 차이를 활용하여 화학적 상태 매핑도 가능합니다.
리튬이온 배터리(LIB) 소재
차등 형태의 Li KVV의 표준 스펙트럼
LIB 양극 재료에 대한 단면 원소 매핑
AES의 리튬 검출 감도는 높고 리튬 이온 배터리 소재 분석에 자주 사용됩니다. AES는 인접한 원자의 전자가 오거 프로세스에 관여하기 때문에 리튬 산화물과 리튬 탄산염에서 리튬 피크를 좋은 감도로 검출합니다. 리튬 매핑은 스펙트럼 이미징으로 쉽게 수행할 수 있습니다.
REELS 분석
탄소소재의 손실스펙트럼
구리판 위의 그래핀 샘플에 대한 AES 분석으로 얻은 탄소 분포(좌)와 REELS 분석으로 얻은 흑연 분포(우)
반사 전자 에너지 손실 분광법(REELS)도 Auger 마이크로프로브의 중요한 응용 분야입니다. REELS는 탄소 재료 분석과 와이드 밴드갭 반도체 및 절연체의 밴드갭 크기 평가에도 적용됩니다.
