JEOL은 전계 방출(FE) 전자총을 특징으로 하는 EPMA로 표면 분석에 혁명을 일으켰고 이제 새롭게 업그레이드된 FE-EPMA를 선보이게 된 것을 자랑스럽게 생각합니다. JXA-8530F는 FE 전자총, EOS, 진공 시스템을 포함한 JXA-8500F의 강력한 하드웨어를 유지하면서 데이터 수집 및 분석을 위해 PC Windows에서 작동하여 초미세 영역 분석을 달성합니다. 사용자 친화적인 PC 기반 작동으로 최고 배율에서 빠르고 쉬운 분석이 가능합니다.
특징
PC로 제어되는 WD/ED 결합 시스템으로 새로운 초미세 분석의 문을 열다
PC 제어
EPMA 빠른 시작
사용자의 요리법
'클릭 포인트 분석'
혼합 X선 영상(WDS)의 실시간 표시
EDS 스펙트럼 이미징
초경량 원소를 위한 새로운 분석 크리스탈
주의 사항:Windows는 미국 및 기타 국가에서 Microsoft Corporation의 등록 상표입니다.
FE 전자총을 사용한 X선 매핑의 높은 공간 분해능
FE 전자총은 W 필라멘트 또는 LaB1tip을 사용하여 기존 EPMA의 열이온 방출 전자총에서 생성된 크기의 2/1~10/6에 불과한 프로브를 생성합니다.
FE 전자총은 높은 프로브 전류(10 ~ 100nA)에서도 낮은 가속 전압에서 마이크로 프로브를 생성할 수 있어 높은 X선 공간 분해능으로 WDS 분석이 가능합니다.
"클릭 포인트 분석", 사용자의 레시피
"Click Point Analysis"는 사용자가 XNUMX차 전자 또는 후방 산란 전자 이미지의 한 점을 클릭하여 정성적 WDS 스펙트럼 및 반정량적 분석을 획득할 수 있도록 합니다. 사용자 레시피를 통해 사전 설정된 분석 조건에 쉽게 액세스할 수 있습니다. 이러한 기능은 가장 간단한 작업으로 FE-EPMA의 효율성을 극대화하도록 설계되었습니다.
고급 작업
사용자는 나노 크기 영역의 복잡한 정량 요소 분석과 같은 연구 목적에 맞는 상세한 분석 절차를 설계할 수 있습니다. 또한 광범위한 데이터 분석 방법과 도구를 제공하는 사용하기 쉬운 소프트웨어 패키지와 전체 애플리케이션 라인이 시스템에 통합되어 있습니다. 예를 들어, 프로브 추적이 제공되어 빔 드리프트에 대한 걱정 없이 매우 작은 피처에 대해 장기간 영역 및 스팟 분석을 더 쉽게 수행할 수 있습니다.
결합된 WD/ED 시스템
JXA-8530F에는 JEOL의 고급 WDS 및 EDS검출기를 통합한 사용자 친화적인 WD/ED 결합 시스템이 있습니다. 미량 원소 분석용 WDS와 JEOL의 입증된 EDS를 결합한 JXA-8530F는 정량 분석, 고배율 빔 스캔 매핑 및 대면적 스테이지 스캔 매핑의 효율적인 데이터 수집을 위한 강력한 도구입니다.
제품 사양
| 검출 가능한 요소 범위 | WDS: (될※) / B~U,EDS: B~U |
|---|---|
| 감지 가능한 X선 범위 | WDS로 감지 가능한 파장 범위: 0.087 ~ 9.3nm EDS로 감지 가능한 에너지 범위: 20keV |
| 분광기의 수 | WDS: 최대 5개 선택 가능, EDS: 1개 |
| 최대 표본 크기 | 100mm × 100mm × 50mm(높이) |
| 가속 전압 | 1 ~ 30kV(0.1kV 단계) |
| 프로브 전류 범위 | 10-12 5×10까지-7 A |
| 프로브 전류 안정성 | ± 0.3%/h |
| XNUMX차 전자 이미지 해상도 | 3nm(WD 11mm, 30kV) |
| 최소 프로브 크기 | 40nm(10kV, 1×10-8 A) 100nm(10kV, 1×10-7 A) |
| 스캐닝 배율 | × 40 ~ × 300,000(WD 11mm) |
| 스캔 이미지 해상도 | 최대 5,120 × 3,840 |
| 컬러 디스플레이 | EPMA 분석용 : LCD 1,280×1,024 SEM 운용 및 EDS 분석용 : LCD 1,280×1,024 |
Be 분석을 위한 선택적 분석 크리스탈 포함
어플리케이션
신청 JXA-8530F
JXA-8530F(FE-EPMA)를 사용한 미세 영역 분석
