JIB-4601F는 Schottky-type SEM과 High-Power FIB 컬럼을 통합한 MultiBeam 처리 및 관찰 시스템입니다. FIB를 이용한 단면 밀링 후 SEM을 이용한 내부 관찰 및 분석이 가능합니다. FIB는 미세 밀링 및 TEM 샘플 준비에 사용할 수 있을 뿐만 아니라 고정된 간격으로 자동 단면 밀링/관찰 및 분석을 통해 3차원 구조 분석을 수행할 수 있습니다. 쇼트키형 주사전자현미경(Schottky-type SEM)을 이용하면 대상 부위의 위치 파악은 물론 미세한 구조의 관찰 및 분석이 가능합니다. 연구개발은 물론 제품의 품질관리까지 폭넓게 활용할 수 있는 시스템입니다.
특징
올인원 도구 – 하나의 장비로 다양한 응용 프로그램 제공
High-Power FIB 컬럼과 High-Power Optics SEM의 결합을 통한 다기능 분석
최대 프로브 전류가 60nA인 고전력 FIB 컬럼은 빠른 단면 밀링을 가능하게 하며 Schottky SEM은 단면의 고해상도 관찰을 제공합니다. SEM에 통합된 High-Power Optics(최대 전류 200nA @ 15kV)는 EDS 또는 WDS를 사용한 원소 분석 및 EBSD 결정 방향 분석과 같은 고속, 고해상도 분석을 수행할 수 있습니다. 또한 전송 전자 검출기, 극저온 장치 및 냉각 단계와 같은 표본 냉각 메커니즘, 음극 발광 검출기를 포함하여 사용 가능한 모든 옵션 부착물이 있습니다.
3차원 구조 분석 기능
연속 슬라이싱 및 샘플링 기능을 사용한 FIB 섹션 밀링과 SEM 관찰 및 분석(EDS 매핑 또는 EBSD 결정 구조 분석)을 자동으로 번갈아 가며 시편의 3차원 구조 분석이 가능합니다. 시편 스테이지를 이동할 필요가 없기 때문에 측정을 신속하게 수행할 수 있습니다.
다른 JEOL 제품과 호환 가능
제품 사양
| 전자총 | 쇼트키 전계 방출형 △TFE(ZrO/W) |
|---|---|
| 대물 렌즈 | 렌즈외형 대물렌즈 |
| 분해능 | 1.2nm @ 30kV WD4mm 3.0nm @ 1kV WD2mm |
| 가속 전압 | 0.2~30kV |
| 프로브 전류 | 여러 pA ~ 200nA @ 15kV |
| 조리개 각도 최적화 렌즈 | 내장 |
| 확대 | x20 ~ x1,000,000 |
| 검출기 | 하부 전자 검출기(LED) 옵션(*) R-베드* 줄기* |
| 젠틀빔 | 내장(시료 인가전압 0~300V) |
| 표본 교환실 | 내장 (건조 질소 도입 기능 포함) |
| 표본 단계 | 6축 모터 구동 스테이지 |
| 시편 이동 범위 | X: 50mm, Y: 50mm, Z: 1.5 ~ 41mm 틸트: -5 ~ 70°, 회전: 360°, Fz: -3 ~ +3mm |
| 표본 교환 방법 | 원터치 척킹 타입 |
| 표본 홀더 | 표준 홀더: φ12.5 홀더 φ32mm 홀더 옵션 보유자 : 76.2mm 웨이퍼 홀더 100mm 웨이퍼 홀더 125mm 웨이퍼 홀더 150mm 웨이퍼 홀더 2형 벌크홀더 표면 다중 시편 홀더 STEM 홀더 셔틀 리테이너 홀더 원터치 홀더 |
| 챔버 범위 | 시편 챔버 카메라(옵션) |
| 자동 기능 | 자동 초점 자동 밝기 조절 |
| 시스템 제어 | SEM 제어 시스템 PC IBM PC/AT 호환〔SM-77360PC〕 RAM 2GB 이상 OS Windows 7® 프로페셔널* |
| 모니터 | 23 인치 |
| 이미지 디스플레이 | 이미지 표시 영역 1280×960 픽셀, 800×600 픽셀 |
| 표시 모드 | 표준 : SEM_SEI, FIB_SEI 옵션 : SEM_COMPO, SEM_TOPO, AUX, CCD |
| 스캐닝 / 디스플레이 모드 | 제한된 영역 스캔, 추가 이미지, 스케일러 화면표시 : 1화면, 2화면(표준), 4화면 |
| 진공 | HV ; < 2.0 x 10E-4 Pa (GIS 사용시 <3.0E-3Pa) |
| 피난 시스템 | SIP x 2(SEM), SIP x 1(FIB), TMP x 1, v RP x 1 |
| 전력 소비 절약 모드 | 정상 작동 시 약. 2.0ｋVA |
| Co2배출 등가물 | Co2 연간 배출량 정상 작동 4967kg |
| 안전 장치 | 진공 낙하, 누수 방지, N2 가스 압력 저하, 누설 전류 단, 정전시의 초고진공 유지 기구는 포함되어 있지 않습니다. |
| 발자국 | 3200mm 이상 ×3000ｍｍ 이상 |
| 설치 요구 사항 |
전원 공급 단상 100V, 50/60Hz, 최대 4kVA, 정상적인 사용 약. 2.0kVA 허용 입력 전원 변동 ±10% 이내 접지 단자 100Ω 이하 x 1 냉각수 수도꼭지를 뺍니다. 디아. 14mm x 1 또는 JIS B 0203 Rc 1/4 x 1 유량 0.5 L / min 수압 0.1~0.25MPa(게이지압) 수온 20°±5℃ 드레인 인. 디아. 25mm 이상 x1 또는 JIS B 0203 Rc 1/4 x 1 건조 질소 가스 JIS B 0203 Rc 1/4(사용자 제공) 압력 0.45~0.55MPa(게이지 압력) 설치실 상온 20℃±5℃ 습도 60% 이하 미유 자기장 0.3μT(PP) 이하(50/60Hz 사인파, WD 10mm, 15kV)*1 바닥 진동 3μm(PP) 이하*1 5Hz 이상의 사인파 주파수에서. 소음 70dB 이하 *1 FLAT 특성으로 설치실 치수 3,000mm x 3,000mm 이상 높이 2,300mm 이상 문 크기 1,000*2 mm(w) x 2,000mm(H) 이상
|
| 주요 옵션 첨부 | EDS, WDS, EBSD, CL, SNS 등 |
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