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표본 준비를 위한 새로운 솔루션

JIB-PS500i는 TEM 시편 준비를 지원하는 세 가지 솔루션을 제공합니다. 표본 준비에서 TEM 관찰까지 높은 처리량 워크플로우가 보장됩니다.

특징

준비, 이미징, 분석의 최첨단

TEM-결합

JEOL의 더블 틸트 카트리지와 TEM 홀더*를 사용하면 TEM과 FIB 간의 연결이 용이합니다. 카트리지는 원터치로 전용 TEM 시료 홀더에 부착할 수 있습니다.

●더블 틸트 카트리지를 사용한 시료 이송 워크플로우*

* 선택 사항입니다.

●옴니프로브 400*

채택된 OmniProbe 400*(Oxford Instruments)은 정확하고 부드러운 픽업 작동 및 조작을 가능하게 합니다. OmniProbe 400*의 작업은 JIB-PS500i용 소프트웨어에 통합되어 있습니다.

표본: 5nm 디자인 룰 반도체 장치(FinFET)
관찰조건 : (좌)가속전압 2kV, Detector SED XNUMX차전자영상,
(가운데 오른쪽) 가속 전압 200kV, TEM 이미지, 장비: JEM-ARM200F

확인 후 이동

TEM 시편을 정확하고 효율적으로 준비하기 위해서는 준비 진행 상황을 빠르게 확인하는 것이 필수적입니다. 높은 틸트 스테이지 및 검출기 체계를 갖춘 JIB-PS500i는 FIB 밀링에서 주사 투과 전자 현미경(STEM) 이미징으로 원활하게 전환할 수 있습니다. 라멜라 처리와 STEM 이미징 사이의 빠른 전환은 효율적인 표본 준비로 이어집니다.

시료: SiC 전력 반도체 소자 관찰 조건: 가속 전압 30kV,
Detector(왼쪽 위) STEM-BF, (오른쪽 위) STEM-DF, (왼쪽 아래) SED XNUMX차 전자 이미지,
(오른쪽 아래) EDS 맵 보라색: Al 노란색: Ti 주황색: P 파란색: O 녹색: Si

자동 준비

JIB-PS500i는 STEMPLING2* 자동 TEM 시편 준비 시스템을 사용하여 시편 준비를 자동화합니다. 이 자동 시스템을 사용하면 모든 작업자가 TEM용 시편을 원활하게 준비할 수 있습니다.

 

견본: 구리 도금
(위) 시편 블록의 자동 준비, (아래) 자동 처리에 의한 시편 블록의 솎아내기
관찰 조건: 가속 전압 30kV, Detector SED(SIM 이미지)

고해상도 및 고대비 SEM 이미징
망설이지 말고 밀링에서 끝점을 놓치지 마십시오. 고품질 SEM 이미지가 도움이 됩니다.

신호 감지 시스템

표준 SED, UED 및 iBED를 포함하여 여러 검출기를 사용할 수 있습니다. 최적의 검출기를 선택하면 다양한 실험 조건에서 다양한 시료의 선명한 이미지를 관찰할 수 있습니다.

고해상도 SEM 이미징

새로 개발된 슈퍼 원추형 렌즈 시스템이 SEM 컬럼에 내장되어 낮은 가속 전압에서 이미징 성능을 크게 향상시킵니다. 이 우수한 이미징은 SEM을 사용하여 라멜라 시편의 끝점 밀링 상태를 확인하는 데 매우 유용합니다.

표본: 5nm 디자인 룰 반도체 장치(FinFET)

FIB 준비 단면의 SEM 이미징

매우 작은 개폐식 후방 산란 전자 검출기(RBED)*는 스테이지 기울기가 높은 경우에도 사용할 수 있습니다. 시편 표면과 기울어진 이미징이 모두 필요한 FIB 준비 단면 이미징의 경우 SED 및 UED를 포함한 다양한 검출기의 조합으로 단면 SEM 이미징에 적합합니다.

 

표본: 3 nm 200D NAND 플래시 메모리 장치의 FIB 준비 단면
관찰 조건: 가속 전압 2kV, 검출기(상) RBED 후방 산란 전자 이미지, (좌) SED XNUMX차 전자 이미지,
(가운데) RBED 후방 산란 전자 이미지, (우) UED 후방 산란 전자 이미지

EDS 통합 소프트웨어*

EDS 분석 기능은 기본 기기 제어 소프트웨어에 내장되어 있어 소프트웨어를 전환하지 않고도 시료의 원소 분석이 가능합니다. (기기에 JEOL EDS*가 장착된 경우에만 사용할 수 있습니다.)

 

고성능 및 고품질 FIB 처리
최상의 검체 준비를 위해 더욱 강력한 FIB 처리.

대면적 고속 FIB 처리

FIB 컬럼은 대전류 Ga 이온 빔(최대 100nA)으로 처리할 수 있습니다.
이 고전류 처리는 대면적 이미징 및 분석에 특히 효과적입니다.

 

표본: 반도체 소자
관찰 조건: 가속 전압 3kV, Detector SED XNUMX차 전자 이미지
시편 블록(200 × 4 × 15μm). OmniProbe 400*으로 픽업한 표본 블록

저kV 공정으로 손상층 제거

FIB 열은 JEOL 이전 모델보다 짧은 작업 거리로 설정됩니다. 이것은 새로운 전원 공급 장치와 함께 낮은 가속 전압에서 처리 성능을 크게 향상시켰습니다. 새로운 제어 시스템을 추가하여 고품질 라멜라 준비에 필수적인 고성능 미세 밀링 기능을 제공합니다.

새로운 챔버 및 무대 디자인
모든 요구 사항을 충족하는 매우 유연하고 높은 기울기 및 대형 스테이지.

큰 표본 로드

JIB-PS500i는 대형 표본 챔버와 새로 개발된 5축 완전 유센트릭 대형 모터 스테이지를 채택하여 대형 표본을 수용하면서 스테이지 이동 범위를 늘립니다. 이 대형 스테이지를 통해 직경 130mm 시편의 전체 표면을 처리하고 이미징할 수 있습니다. 또한 최대 80mm 높이의 샘플을 시편 챔버에 로드할 수 있습니다.

직경 150mm의 실리콘 웨이퍼가 시편 챔버에 로드됩니다.

3D 모델을 사용하여 이동 제한을 결정하는 AVERT 엔진

AVERT 엔진은 시료 홀더, 스테이지 및 챔버 내부 물체의 3D 모델을 사용하여 시료 이동 한계를 결정하는 데 사용됩니다. 따라서 어떤 조건에서도 시편은 검출기 및 대물 렌즈를 방해할 수 없습니다.

* 선택 사항입니다.

제품 사양

SEM

이미지 해상도 0.7nm(15kV)
1.4nm(1kV)
1.0nm(1kV, BD 모드)
확대 ×50 ~ ×1,000,000(STD 모드)
×1,000 ~ ×1,000,000(UHR 모드)
×10 ~ ×19,000(LDF 모드)
(128mm × 96mm 인쇄 크기)
착륙 전압 0.01~30kV
빔 전류 ~1pA ~ 500nA 이상
시편 바이어스 전압 0.0~-5.0kV
전자총 렌즈 내 Schottky Plus 전계 방출 전자총
조리개 각도
컨트롤 렌즈(ACL)
내장
대물 렌즈 전원 안정화 렌즈
긴 깊이
초점(LDF) 모드
내장
검출기(표준) XNUMX차 전자 검출기(SED),
상부 전자 검출기(UED),
렌즈 내 후방 산란 전자 검출기(iBED)

FIB

이미지 해상도 3nm(30kV에서)
확대 ×50 ~ ×300,000
(가속 전압에 따라 제한됨)
가속 전압 0.5~30kV
빔 전류 1.0pA ~ 100nA,
13단계 전환 가능(30kV)
이동식 조리개 모터 구동, 16단계 전환 가능
(3단계는 보조)
이온 소스 Ga 액체 금속 이온 소스
모양 가공
밀링에 의해
사각형, 원형, 다각형, 점, 선, BMP

표본 단계

타입 완전한 eucentric goniometer 단계
Control 컴퓨터 제어, 5축 모터 제어
3D 간섭 측정 AVERT 엔진
표본
이동
X: 130mm
Y: 130mm
Z: 1.0mm~40mm
기울기: –40.0 ~ 93.0°
회전: 360.0° 무한

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