특징
특징
호평을 받은 JSM-7610F의 광학 시스템이 업데이트되어 더 나은 해상도(15kV 0.8nm, 1kV 1.0nm)를 달성했으며 이제 JSM-7610FPlus로 사용할 수 있습니다.
Semi-in 렌즈형 대물렌즈와 조사시스템의 High Power Optics는 높은 공간분해능 관찰과 안정적인 분석능력을 제공합니다.
또한 JSM-7610FPlus는 GENTLEBEAM™ 모드로 낮은 가속 전압에서 관찰하고 r-filter를 사용한 신호 선택을 포함하여 다양한 사용자 요구를 충족하도록 장착할 수 있습니다.
세미 인 렌즈 대물 렌즈
세미 인 렌즈 대물 렌즈 설계로 인 렌즈 검출기로 초고해상도 관찰이 가능합니다.
샘플: 탄소 15kV의 백금 촉매 나노 입자
고전력 광학
독자적인 전자광학계로 다양한 분석과 고배율 관찰이 가능합니다. 기존 쇼트키 전계방출전자총(FEG)의 10배에 달하는 프로브 전류를 전달할 수 있는 렌즈 내장형 쇼트키 전계방출 전자총과 작은 프로브 직경을 유지할 수 있는 조리개 각도 조절 렌즈(ACL) 증가된 프로브 전류에도 적절한 수렴각으로 200nA 이상의 프로브 전류를 사용할 수 있습니다. 고배율 광학 장치는 고배율 보기에서 EDS 및 EBSD 분석에 이르기까지 모든 작업을 수행하는 데 필요한 모든 성능을 제공합니다.
렌즈 내 쇼트키 전자총
렌즈 내 쇼트키 전계 방출 전자총은 전자총과 저수차 콘덴서 렌즈를 결합하여 전자총에서 생성된 전자를 효율적으로 수집할 수 있습니다.
조리개 각도 제어 렌즈(ACL)
ACL(Aperture-Angle Control Lens)은 대물 렌즈 위에 위치하여 전체 프로브 전류 범위에서 대물 렌즈 조리개 각도의 자동 최적화를 수행합니다. 따라서 프로브 전류가 큰 경우에도 기존 시스템보다 작은 프로브 직경을 얻을 수 있습니다.
큰 프로브 전류에서도 작은 프로브 직경
분석 시간 연장을 위한 매우 안정적인 프로브 전류
인렌드 쇼트키 전계 방출 전자총은 안정적인 프로브 전류를 제공합니다.
GENTLEBEAM™ 모드
GENTLEBEAM™ 모드(GB 모드)에서는 시료에 전자가 충돌하기 직전에 시료에 전압을 인가하여 전자의 랜딩 전압을 낮추어 100V의 낮은 가속 전압으로 고해상도 관찰이 가능합니다.
시편 내 전자빔의 산란영역이 작기 때문에 표면의 미세구조를 관찰하기 쉽고 열손상에 취약한 시편에 미치는 영향을 줄일 수 있다. 비전도성 시편은 감소된 충전으로 쉽게 관찰할 수 있습니다. JSM-1FPlus의 GB 모드 7610kV 분해능은 1.0nm입니다.
GB 모드의 효과
GB 모드는 낮은 가속 전압에서 해상도를 향상시킵니다.
낮은 가속 전압에서 향상된 분해능
r-필터
차세대 r-필터
차세대 r-필터는 XNUMX차 전자 제어 전극, 후방 산란 전자 제어 전극 및 필터 전극을 결합한 독특한 에너지 필터입니다. 시료 표면에 전자빔을 조사하면 다양한 에너지를 가진 전자가 표면에서 방출됩니다. 새로운 r-필터를 사용하면 전자 빔이 여러 정전기장의 조합을 사용하여 렌즈 중앙에 유지되는 동안 표본에서 XNUMX차 전자와 후방 산란 전자를 선택적으로 감지할 수 있습니다.
이전 모델의 r-필터와 비교하여 차세대 r-필터는 신호가 3배 증가합니다.
새로운 r-필터로 신호 감지
LABE 검출기(옵션)
LABE(저각 후방산란 전자) 검출기는 이전에 검출할 수 없었던 매우 낮은 에너지 및 매우 낮은 각도 후방산란 전자를 검출할 수 있습니다.
매우 낮은 가속 전압에서 시편 표면의 자세한 위상 정보를 얻을 수 있으며 높은 가속 전압에서 시편의 구성 정보를 좋은 분해능으로 관찰할 수 있습니다.
LABE 검출기: 낮은 각도 후방 산란 전자 이미지
박막 결정 입자 채널링 콘트라스트는 가속 전압이 극히 낮은 후방 산란 전자를 사용하여 관찰할 수 있습니다.
확장 성
에너지 분산형 X선 분광기(EDS)
High Power Optics를 사용하면 큰 프로브 전류로도 포화되기 어려운 EDS(SDD: Silicon Drift Detector) 검출기의 기능을 효과적으로 활용할 수 있습니다. 낮은 가속 전압과 큰 프로브 전류를 사용하여 매우 짧은 시간에 우수한 품질의 매핑을 얻을 수 있습니다. 아래 이미지는 2분 만에 얻은 Ni 기판의 극도로 얇은 그래핀과 흑연 층의 분석을 보여줍니다.
기본형 SSD 10mm2 검출기를 사용해도 약 100nm의 다층막 단면을 30초 만에 분석할 수 있다.
파장 분산 X선 분광기(WDS)
High Power Optics는 작은 프로브 직경으로 큰 프로브 전류를 제공하므로 WDS의 기능을 최대한 활용할 수 있습니다. WDS를 사용하면 EDS로 식별할 수 없는 시료의 미량 농도 차이 또는 원소 중첩을 확인할 수 있습니다.
음극 발광 검출기(CL)
CL은 시료가 전자빔에 노출되었을 때 가시광선이 발생하는 현상이다. 시료에서 발생하는 빛은 집속경을 이용하여 집광하여 검출한다. 아래 이미지는 1kV에서 다이아몬드의 회절 격자로 얻은 XNUMX차 전자 이미지와 CL 이미지입니다. 낮은 가속 전압으로 CL 이미지를 관찰하면 해상도가 좋은 다이아몬드 표면에 결함이 있음을 알 수 있습니다.
분석에 최적화된 시편 챔버
시료 챔버는 XNUMX차 전자 검출기, 후방 산란 전자 검출기, EDS, EBSD, WDS, STEM 및 음극 발광 검출기를 포함한 다양한 검출기를 최적의 레이아웃으로 설치할 수 있도록 설계되었습니다.
XNUMX차 전자 검출기, EDS 및 EBSD는 기울어진 시편에서 동시에 볼 수 있도록 배치되며 EBSD 포트는 스테이지의 유심 기울기에 수직입니다.
다양한 액세서리를 동시에 설치할 수 있습니다.
제품 사양
| XNUMX차 전자 이미지 해상도 |
0.8nm(가속 전압 15kV) 1.0 nm(가속 전압 1 kV GB 모드) 0.8 nm(가속 전압 1 kV GBSH 모드)※ 1 분석 중 3.0nm(가속 전압 15kV, WD 8mm, 프로브 전류 5nA) |
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|---|---|---|---|
| 확대 |
직접 배율: x25 ~ 1,000,000(120 x 90mm) 표시 배율: x75 ~ 3,000,000(1,280 x 960픽셀) |
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| 가속 전압 | 0.1~30kV | ||
| 프로브 전류 | 몇 pA ~ ≥ 200nA | ||
| 전자총 | 렌즈 내 쇼트키 전계 방출 전자총 | ||
| 렌즈 시스템 |
콘덴서 렌즈(CL) 조리개 각도 조절 렌즈(ACL) 세미인렌즈 대물렌즈(OL) |
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| 표본 단계 | 완전 eucentric goniometer 단계 | ||
| 표본 이동 |
표본 단계 스탠다드 |
Optional | Optional |
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유형 I A2 X : 70mm Y : 50mm Z : 1.0 ~ 40mm 기울기: -5 ~ +70° 회전 : 360 ° |
유형 II X : 110mm Y : 80mm Z : 1.0 ~ 40mm 기울기: -5 ~ +70° 회전 : 360 ° |
유형 III X : 140mm Y : 80mm Z : 1.0 ~ 40mm 기울기: -5 ~ +70° 회전 : 360 ° |
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| 표본 홀더 | 직경 12.5mm × 두께 10mm, 직경 32mm × 두께 20mm | ||
| 표본 교환 | 원액션 교환 메커니즘 | ||
| 전자 검출기 시스템 | 상부 검출기, r-필터, 내장형, 하부 검출기 | ||
| 자동 기능 | 초점, 낙인, 밝기, 대비 | ||
| 이미지 관찰 LCD | 화면 크기: 23인치 너비 최대 해상도: 1,280 × 1,024픽셀 |
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| SEM 제어 시스템 | PC: IBM PC/AT 호환 컴퓨터 OS: Windows® 7 프로페셔널※ 2 |
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| 스캔 및 디스플레이 모드 |
전체 프레임 스캔 실제 배율 선택 영역 스캔 XNUMX 이미지 디스플레이(다른 배율, 다른 이미지 모드) XNUMX 이미지 와이드 디스플레이 XNUMX개 이미지 디스플레이(XNUMX개 신호 라이브 디스플레이) 추가 이미지(4개 이미지 + 추가 이미지) 규모 |
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| 피난 시스템 |
건 챔버, XNUMX차 및 XNUMX차 중간 챔버: 이온 펌프를 사용한 초고진공 건식 배기 시스템 시편 챔버: 터보 분자 펌프(TMP)를 사용한 건식 배출 시스템 |
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| 궁극적 인 압력 |
건 챔버: 10개 주문-7 Pa(표준 구성의 경우) 표본실: 10개 주문-4 Pa(표준 구성의 경우) |
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Optional
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JSM-7610FPlus 쇼트키 전계 방출 주사 전자 현미경
