JBX-6300FS는 8kV 가속 전압에서 5nm 직경의 전자빔을 자동으로 조정하는 전자 광학 시스템을 사용하여 2.1nm 이하(실제 결과: 100nm)까지 패턴을 쉽게 작성할 수 있습니다. 또한 이 EB 시스템은 9nm 이하의 높은 필드 스티칭 및 오버레이 정확도를 달성하여 높은 비용 대비 성능을 제공합니다. 또한 JEOL 고유의 자동 수정 기능을 통해 고정밀 패턴 쓰기가 가능합니다. JBX-6300FS는 최첨단 장치의 R&D, 나노 기술 관련 R&D 및 통신 장치 생산과 같은 광범위한 요구 사항에 대응합니다.
특징
JBX-6300FS는 빔 편향에 의해 발생하는 왜곡을 자동으로 보정하는 강력한 전자 광학 시스템을 사용하여 필드 모서리와 경계에서도 매우 정밀한 패턴을 작성할 수 있습니다.
JBX-6300FS는 19nm 분해능의 0.125비트 빔 포지셔닝 DAC와 0.6nm 분해능의 레이저 간섭계를 사용하는 고정밀 스테이지를 가지고 있기 때문에 작은 필드에서 9nm 이하의 최고의 쓰기 위치 정확도를 달성합니다. 대면적 필드.
JBX-6300FS에는 자동 빔 조정 기능이 있어 패턴 작성 중에 빔 선량 보정 및 빔 위치 보정이 가능합니다.
수정 타이밍은 각 필드 또는 각 패턴에 대해 설정할 수 있습니다. 이 기능은 예를 들어 주말이나 연휴 등 작업자 없이 장시간 쓰기에 매우 효과적입니다.
JBX-6300FS는 최대 50MHz의 빠른 스캔 속도와 기계 오버헤드 시간을 최대한 줄여 패턴 작성 시간을 획기적으로 단축합니다. 쓰기 시작까지의 작업은 매우 간단하고 자동 초점으로 전체 처리량을 향상시킵니다.
Auto Loader(옵션)를 사용하면 JBX-6300FS는 시편 홀더에 대해 최대 10개까지 연속 쓰기를 수행할 수 있습니다. (예: 10mmφ 웨이퍼 최대 150개, 40mmφ 웨이퍼 최대 50개 등) 쓰기, 재료 수에 해당하는 샘플 홀더). JEOL은 이러한 EB 시스템을 일본 및 해외 생산 라인에 납품했습니다.
Fine Pitch Control Program(필드 크기 미세 변조 프로그램)을 사용하면 JBX-6300FS가 DFB 레이저와 같은 처프 주기 격자를 제작할 수 있습니다.
소개 결과
JEOL은 40년 이상 일본 및 해외의 연구 기관 및 생산 라인에 많은 EB 시스템을 공급해 왔습니다.
제품 사양
전자총 | ZrO/W 쇼트키형 |
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쓰기 방법 | 스폿 빔, 벡터 스캔, 단계 및 반복 |
Acc. 전압 | 25kV(옵션), 50kV, 100kV |
재료 크기 | 최대 200mmΦ 웨이퍼, 최대 5인치 또는 6인치 마스크, 모든 크기의 마이크로 샘플 |
최대 필드 크기 | 2000μmX2000μm |
스테이지 이동 범위 | 190mmX170mm |
오버레이 정확도 | ≤±9nm |
필드 스티칭 정확도 | ≤±9nm |
스캔 속도 | 50MHz 최대 |