JBX-9500FS는 Spot beam lithography 시스템 중 세계 최고 수준의 Throughput과 위치 정확도를 제공하는 100kV EB 시스템입니다. 이 EB 시스템은 최대 300mmΦ 웨이퍼와 최대 6인치 마스크를 수용할 수 있어 나노임프린트, 광소자, 통신소자 등 다양한 분야의 연구개발 및 생산에 대응하고 있다.
특징
JBX-100FS는 9500MHz의 최대 스캔 속도 외에도 필드 크기가 11µm×10µm일 때 ±9nm의 오버레이 정확도, ±1000nm의 필드 스티칭 정확도, ±1000nm 필드 내 위치 정확도를 달성합니다. 따라서 JBX-9500FS는 Spot beam lithography 시스템 중 세계 최고 수준의 처리량과 위치 정확도를 제공하는 100kV EB 시스템입니다.
JBX-9500FS는 20비트의 빔 포지셔닝 DAC와 14비트의 스캔 DAC를 사용하기 때문에 0.25nm 단위의 쓰기 데이터 증가에 대해 1nm의 고해상도 스캔 스텝을 획득하여 보다 정확한 쓰기 데이터를 재생합니다.
최대 100MHz의 높은 스캔 속도를 통해 JBX-9500FS는 대전류 쓰기에서 짧은 스캔 단계를 유지할 수 있으므로 고정밀 패턴 쓰기가 필요한 경우에도 처리량이 향상됩니다.
0.15nm(λ/4096)의 고해상도, 최소 빔 위치 결정 단계를 제공하는 LBC(레이저 빔 제어)로 세계 최고 수준의 위치 정확도를 달성합니다.
또한, JEOL이 개발한 독자적인 자동 보정 기능(자동 보정 기능)으로 신뢰성이 높고 안정적인 패턴 작성이 장기간 가능합니다. 자동 보정의 타이밍은 각 필드 또는 각 패턴에 대해 설정할 수 있습니다. 이 기능은 주말이나 공휴일과 같이 오퍼레이터 없이 장시간 작성하는 경우에 매우 효과적입니다.
JBX-9500FS는 최대 300mmΦ 웨이퍼와 최대 6인치 마스크를 수용할 수 있어 나노임프린트, 광소자, 통신기기 등 다양한 분야의 연구개발 및 생산에 대응하고 있다. 재료 카세트 이송 시스템(옵션)을 추가하면 이 EB 시스템에서 최대 10개의 카세트를 로드할 수 있습니다.
Fine Pitch Control Program(필드 크기 미세 변조 프로그램)을 사용하면 JBX-9500FS가 DFB 레이저와 같은 처프 주기 격자를 제작할 수 있습니다.
소개 결과
JEOL은 40년 이상 일본 및 해외의 연구 기관 및 생산 라인에 많은 EB 시스템을 공급해 왔습니다.
제품 사양
| 전자총 | ZrO/W 쇼트키형 |
|---|---|
| 쓰기 방법 | 스폿 빔, 벡터 스캔, 단계 및 반복 |
| Acc. 전압 | 100kV |
| 재료 크기 | 재료크기(적재가능): 최대 300mmΦ 웨이퍼, 최대 6인치 마스크, 모든 크기의 마이크로 샘플 |
| 최대 필드 크기 | 1000μm×1000μm |
| 스테이지 이동 범위 | 260mmX240mm |
| 스테이지 컨트롤 유닛 | 0.15nm(λ/4096) |
| 오버레이 정확도 | ≤±11nm |
| 필드 스티칭 정확도 | ≤±10nm (1000µm×1000µm 분야) |
| 필드 평면 내 위치 정확도 | ≤±9nm(1000µm×1000µm 분야) |
| 빔 포지셔닝 DAC | 20bit |
| 스캔 속도 | 100MHz 최대 |
