키쿠치 무늬

Kikuchi 패턴은 표본에서 비탄성 산란(열 확산 산란) 전자의 브래그 반사에 의해 생성된 회절 패턴입니다. 비탄성적으로 산란된 전자는 큰 각도에 걸쳐 분포하기 때문에 비탄성적으로 산란된 전자에 의한 브래그 반사는 회절점을 형성하지 않고 다음과 같은 방법으로 각각 한 쌍의 잉여선과 결함선(Kikuchi 선)을 형성합니다. ㅎ 과 -hkl 반사. 낮은 강도(결함) Kikuchi 라인은 입사 빔 방향의 가까운 쪽에서 나타나는 반면, 높은 강도(과도한) Kikuchi 라인은 반대 방향에서 나타납니다.
낮은 차수의 반사 ㅎ 과 -hkl 강하게 여기되면 강한 동적 회절 효과로 인해 반사 사이에 고강도(초과) 밴드(Kikuchi 밴드)가 형성됩니다. 키쿠치 라인이 날카롭게 나타나 매우 완벽하고 두꺼운 크리스탈입니다. Kikuchi 패턴은 Kikuchi 라인이 브래그 반사 지점에 위치하도록 크리스탈을 기울임으로써 크리스탈 방향을 정밀하게 조정하는 데 효과적으로 사용됩니다.



(a) 키쿠치 라인: 결정의 특정 지점 O에서 비탄성적으로 산란된 전자가 입사 전자 I의 방향에 대해 상당히 기울어진 결정 평면의 전면(F)과 후면(B)에서 브래그 반사를 일으킬 때, 브래그 반사 1과 2의 위치(방향)에서 Kikuchi 라인(KL)이라고 하는 한 쌍의 결함 강도와 과잉 강도 라인이 생성됩니다. I 근처의 Kikuchi 라인(1)의 강도는 주변 지역(방향). 반대로 I에서 먼 쪽의 Kikuchi 라인(2)의 강도는 주변 영역(방향)의 강도보다 높습니다.
점 O에서 비탄성적으로 산란되는 전자의 진폭은 낮은 산란각에서 크고 산란각이 증가함에 따라 작아진다. 입사 방향 I 근처에서 비탄성적으로 산란된 전자로 인한 결정면의 전면(F)에서의 브래그 반사(2)는 강한 초과 및 강한 결함 Kikuchi 선을 형성합니다. I 방향에서 멀리 떨어진 비탄성 산란 전자로 인한 결정 평면의 후면(B)에서의 브래그 반사(1)는 전면의 기여도를 보상합니다. 그러나 후자에 의한 보상이 작기 때문에 저강도(결함) KL(1)은 I의 근방에 형성되고 고강도(과도한) KL(2)은 I의 저변에 형성된다.

(b) Kikuch 라인에서 Kikuchi 밴드로의 변환: 입사 전자 I의 방향에 대해 결정면의 경사각이 작아지면 반사면 F와 B에 입사하는 비탄성 산란 전자의 진폭 차이는 작은. 그 결과 Kikuchi 선의 종 모양 강도가 낮아지고 대칭적인 특징은 사라지지만 비대칭(분산형) 강도가 나타나기 시작합니다.

(c) Kikuchi band: 입사전자(I)의 방향에 대하여 결정면이 대칭이 되면 Bragg 반사 1과 2에 대해 비탄성적으로 산란된 전자의 진폭이 같아진다. 사라지고 강력한 동적 회절 효과로 인해 분산 형 강도가 형성됩니다. 위치(방향) 1과 2 사이의 각도 영역에서 강도는 영역 외부보다 높아집니다. 이 고강도 밴드를 Kikuchi 밴드(KB)라고 합니다.

(d) Si 단결정으로부터 얻어지는 Kikuchi 패턴: 고차 반사에 의해 많은 쌍의 Kikuchi 라인이 보인다. 대칭 입사 부근에서는 "G = 220 반사"와 "G = -2-20 반사" 사이에 Kikuchi 밴드가 보입니다. 낮은 강도(결함(어두움)) Kikuchi 라인은 입사 빔 방향의 가까운 쪽에서 나타나는 반면, 높은 강도(과도한(밝은)) Kikuchi 라인은 반대 방향에서 나타납니다. (단, 아래의 Kikuchi 패턴은 밝음과 어두움이 반전되어 나타납니다.)


 

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