스폿형 전자빔 리소그래피 시스템 JBX-8100FS는 높은 처리량, 작은 설치 공간 및 전력 절약을 달성했습니다.
특징
최소한의 설치 공간
표준 시스템에 필요한 면적은 4.9m(W) x 3.7m(D) x 2.6m(H)로 기존 시스템보다 훨씬 작습니다.
낮은 전력 소비
정상 작동에 필요한 전력은 약 3kVA로 기존 시스템의 1/3로 줄었습니다.
높은 처리량
이 시스템에는 고해상도 및 고처리량 모드의 두 가지 노출 모드가 있어 초미세 처리에서 중소 규모 생산에 이르기까지 다양한 유형의 패터닝을 지원합니다. 고속 쓰기를 위한 1.25MHz(세계 최고 수준)까지 최대 스캐닝 속도를 2.5~125배 증가시키면서 노광 시 유휴 시간을 최소화했다.
버전
JBX-8100FS는 G2(엔트리 모델)과 G1(풀 옵션 모델)의 2가지 버전으로 제공됩니다. 필요에 따라 옵션 액세서리를 G1 모델에 추가할 수 있습니다.
새로운 기능
레지스트를 빛에 노출시키지 않고 샘플의 패턴을 검사할 수 있도록 광학 현미경 옵션을 사용할 수 있습니다. 신호 타워는 시스템 작동의 시각적 모니터링을 위해 표준으로 제공됩니다.
레이저 포지셔닝 분해능
스테이지 위치는 표준으로 0.6nm 단계로 측정 및 제어되며 옵션 업그레이드가 있는 경우 0.15nm 단계로 측정 및 제어됩니다.
시스템 제어
새로운 그래픽 사용자 인터페이스와 결합된 다용도 Linux® 운영 체제는 작동을 용이하게 합니다. 데이터 준비 프로그램은 Linux®와 Windows®를 모두 지원합니다.
200kV 모델!
최대 가속 전압 200kV의 세계로
JBX-8100FS는 다양한 응용 분야에서 높은 처리량 및 고정밀 요구 사항을 구현하도록 설계된 가우시안 빔 광학이 포함된 직접 쓰기 EBL 시스템입니다.
모듈식의 업그레이드 가능한 플랫폼은 첨단 나노구조의 제조에서 화합물 반도체 소자의 생산에 이르기까지 다양한 분야를 지원합니다.
홀로그래피, 그레이 스케일 및 마이크로 렌즈 어레이와 같은 고급 애플리케이션 구현
아래 이미지는 100kV와 200kV 사이의 EBL 비교입니다.
200kV는 상당히 두꺼운 레지스트로 감소된 테이퍼 효과를 보여줍니다.
100kV와 200kV의 가속 전압 비교(샘플: 10um 두께의 레지스트)
가속 전압 100kV
3,000μC/cm2
가속 전압 200kV
5,000μC/cm2
저항 : PMMA
두께 : 10um
필드 크기 : 500um
패턴 폭 : 2um
기재 : Si
주의 사항 :
Windows는 미국 및 기타 국가에서 Microsoft Corporation의 등록 상표입니다.
Linux®는 미국 및 기타 국가에서 Linus Torvalds의 등록 상표입니다.
제품 사양
| 버전 | G1(엔트리 모델) | G2(풀옵션 모델) | G3(200kV 모델) |
|---|---|---|---|
| 쓰기 방법 | 스폿 빔, 벡터 스캔, 단계 및 반복. | ← | ← |
| 가속 전압 | 100 kV | 100kV / 50kV | 200kV / 130kV / 100kV / 50kV |
| 빔 전류 | 5 × 10-12 2 × 10-7 A | ← | ← |
| 필드 크기 | 최대 1,000μm × 1,000μm | 최대 2,000μm × 2,000μm | ← |
| 스캔 속도 | 최대 125MHz | ← | ← |
| 무대 가동 영역 | 190 mm × 170 mm | ← | ← |
| 오버레이 정확도 | ≤ ±9 nm | ← | ≤ ±8 nm |
| 스티칭 정확도 | ≤ ±9 nm | ← | ≤ ±8 nm |
| 전기 요구 사항(일반) | 3kVA | ← | ← |
| 기판 크기 | 최대 200mmΦ 웨이퍼
6인치 마스크 블랭크 모든 크기의 작은 샘플 |
← | ← |
| 기판 이송 | 단일 자동 로더 | 12카세트 자동 로더 | ← |
| 주요 설치 옵션 | 광학현미경
25kV 고전압 프로그램 데이터 준비 프로그램 추가 라이선스 고해상도 레이저 빔 제어 시스템 |
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