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기능

  • 번개처럼 빠른 속도:
    EDM 시스템은 20ns보다 빠른 스위칭 시간을 달성합니다.

  • 독립적인 강도 조정:
    가변 펄스 폭으로 빔을 빠르게 켜고 끄는 EDM을 사용하면 이미지 조건을 변경하지 않고도 평균 빔 강도를 쉽게 조정할 수 있습니다. 탁상용 액세서리 손잡이는 선량 감쇠 계수를 조정하기 위한 직관적인 인터페이스를 제공합니다.

  • 투여량 구조화:
    사용자는 100ns의 짧은 가변 지속 시간과 최대 500kHz의 주파수로 펄스에 선량을 적용하여 조명을 제어할 수 있습니다.

  • 최신 제어 소프트웨어:
    EDM은 기본적으로 빠른 빔 블랭커로 작동합니다. 프로그래밍 가능한 선량 감쇠, 기록 등을 위한 제어 소프트웨어가 포함되어 있습니다.

  • 완성:
    EDM은 동료 Relativity Sub-Framing System과 타사 하드웨어를 지원하면서 빠르고 신뢰할 수 있는 사전 샘플 빔 블랭커 역할을 합니다.

 

펄스 빔 TEM 조명*

 

펄스 빔 STEM 조명*

500μs/픽셀(2 x 300픽셀)의 픽셀 체류 시간 조건에서 Si[110]를 사용하여 19kV에서 고해상도 STEM에서 1,024kHz(1,024μs)의 주파수로 펄스 조명에 의한 선량 감쇠, 지속 시간을 변경하여 90초에 하나의 STEM 이미지를 획득하는 동안 50%에서 20%로.

기술 사양

빠른 빔 블랭킹

수량 가치관
최대 펄스 주파수 500 kHz
전환 시간 90%-10% 20ns 미만
블랭킹 신호 3 개의 입력

선량 감쇠

구성 EDM 기본
어플리케이션 TEM 및 STEM 이미징
펄스 반복 주파수(최대) 500 kHz
펄스 폭 증분 62.5ns
최소 펄스 폭 125ns

EDM 옵션

EDS 실제 영역 스캔 EDM 동기화를 통한 EDM 프로그래밍 가능 스캔
 

적용 모델 : JEM-ARM300F2, JEM-ARM200F(CFEG), NEOARM(CFEG), JEM-F200(CFEG), JEM-3300, JEM-Z200FSC, JEM-Z200CA

갤러리 (Gallery)

 

◆위 박스 안의 "다시보기" 버튼을 클릭하면 영화가 시작됩니다(2.5분).◆

EDM을 사용한 시간 분해능 DPC 이미징

실험 설정

정전선량 변조기(EDM)는 TEM 및 STEM의 스트로보스코픽 측정을 간소화합니다. 이 응용 노트에서는 펄스 조명을 통해 이미 빠른 SAAF 쿼드 분할 검출기를 사용하여 차등 위상 대비(DPC) 이미징의 시간 분해능을 향상시킵니다.1. 샘플2 Hummingbird Scientific의 바이어싱 샘플 홀더에 있는 칩에 장착됩니다. 각 STEM 픽셀마다 파형 생성기가 바이어스 전압을 -5V에서 +5V 사이로 증가시킵니다. 가변 지연 시간 후, 고속 정전 셔터 입력으로 로직 레벨 펄스가 전달되어 프로브 빔이 2μs 동안 켜집니다. 데이터 수집은 자동화될 수 있습니다.

노출 펄스의 지연 시간을 변경함으로써 바이어스 파형 동안 각기 다른 시간에 샘플을 측정합니다. 각 지연 시간(왼쪽 타이밍 다이어그램에 점으로 표시)마다 완전한 STEM 이미지가 기록됩니다. 각 STEM 이미지의 기록에는 10초 이상 걸리지만, 측정 시간 분해능은 2μs 노출 펄스에 의해 결정됩니다. 샘플 여기(excitation)는 현장 홀더(in-situ holder)인 IDES Luminary를 사용하여 수행할 수 있습니다.TM 샘플에서 반복 가능한 역학을 생성하는 마이크로 또는 기타 시스템입니다.

SiC MOS 커패시터의 tr-DPC 측정에서 선택된 이미지. 샘플의 필드는 각 프로브 위치에서 빔의 편향을 통해 관찰됩니다. 이미지 상단 행의 강도는 편향의 크기를 나타내고, 색상은 방향을 나타냅니다. 이러한 발산은 전하 밀도를 나타내며, 수집 소프트웨어(이미지 하단 행)에 의해 자동으로 계산됩니다. 필드는 SiC(왼쪽)와 Al(오른쪽) 사이의 산화물 계면에 집중됩니다. t = 15μs에서 바이어스는 XNUMXV를 교차하고 필드의 극성이 변경됩니다.

1. 측정 조건: JEM-F200 장비, 가속 전압 200 kV, STEM 로렌츠 모드, 유지 시간 50 마이크로초, 픽셀 수 512 × 512. 실험 설정도는 간략하게 표시되었습니다. 자세한 구성 정보는 가까운 JEOL 영업소에 문의하십시오.

2. 샘플은 Al, SiO로 제작된 MOS 커패시터입니다.2, 두께 200nm의 n형 SiC는 Fuji Electric Co. Ltd.에서 제공합니다.

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